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LXPSEMI SiC MOSFET在導通電阻，開關損耗，高溫運行和導熱性上的優異特性極大地提升了電力電子系統的轉換效率和功率密度，并使得系統的整體成本降低。瀾芯半導體碳化硅MOSFET具有750V至1700V的擴展電壓范圍，采用先進的工藝技術平臺，具有杰出的開關性能和極低的單位面積導通電阻。

瀾芯半導體SiC MOSFET：

1.汽車級和工業級合格器件；

2.芯片結溫能力(TJ = 175°C,最高200°C)；

3.超高開關工作頻率和極低開關損耗；

4.低導通電阻；

5.柵極驅動可兼容現有IC；

6.穩定的超快速本體二極管。

瀾芯SiC MOSFET專為滿足汽車和工業應用的嚴格要求而設計。

瀾芯半導體SiC MOSFET主要特點包括：