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LXPSEMI SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻，開(kāi)關(guān)損耗，高溫運(yùn)行和導(dǎo)熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度，并使得系統(tǒng)的整體成本降低。

瀾芯IGBT芯片采用先進(jìn)的微溝槽器件結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品具有更低的導(dǎo)通壓降與更小的開(kāi)關(guān)損耗。

為適應(yīng)電源系統(tǒng)高效率小型化的需求，瀾芯半導(dǎo)體推出了超結(jié)高壓MOSFET, SJ MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度，可以大大提高系統(tǒng)效率、降低發(fā)熱量，還可以簡(jiǎn)化系統(tǒng)EMI設(shè)計(jì)。

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