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產品信息
SiC
LXPSEMI SiC MOSFET在導通電阻，開關損耗，高溫運行和導熱性上的優異特性極大地提升了電力電子系統的轉換效率和功率密度，并使得系統的整體成本降低。
IGBT
瀾芯IGBT芯片采用先進的微溝槽器件結構，產品具有更低的導通壓降與更小的開關損耗。
SJ MOSFET
為適應電源系統高效率小型化的需求，瀾芯半導體推出了超結高壓MOSFET, SJ MOSFET具有更快的開關速度，可以大大提高系統效率、降低發熱量，還可以簡化系統EMI設計。
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瀾芯半導體新品發布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
瀾芯半導體新品發布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
瀾芯半導體新品發布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
?上海瀾芯半導體新品發布：\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C00...
?上海瀾芯半導體新品發布：\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006...
?上海瀾芯半導體新品發布：\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006...
2023-11-30
18:52:14
祝賀瀾芯半導體進入SiC MOSFET 12mΩ俱樂部！
祝賀瀾芯半導體進入SiC MOSFET 12mΩ俱樂部！
祝賀瀾芯半導體進入SiC MOSFET 12mΩ俱樂部！
祝賀瀾芯半導體進入SiC MOSFET 12mΩ俱樂部！
祝賀瀾芯半導體進入SiC MOSFET 12mΩ俱樂部！
祝賀瀾芯半導體進入SiC MOSFET 12mΩ俱樂部！
2023-11-30
18:52:10
瀾芯半導體1200V首款SiC MOSFET通過可靠性認證
瀾芯半導體1200V首款SiC MOSFET通過可靠性認證
瀾芯半導體1200V首款SiC MOSFET通過可靠性認證
瀾芯半導體的首款SiC MOSFET產品1200V 80mΩ SiC ...
瀾芯半導體的首款SiC MOSFET產品1200V 80mΩ SiC M...
瀾芯半導體的首款SiC MOSFET產品1200V 80mΩ SiC M...
2023-11-30
18:52:05
650V 40mΩ 超結MOSFET新品發布
650V 40mΩ 超結MOSFET新品發布
650V 40mΩ 超結MOSFET新品發布
瀾芯半導體正式發布了650V 40mΩ 超結MOSFET新品 。該產品...
瀾芯半導體正式發布了650V 40mΩ 超結MOSFET新品 。該產品采...
瀾芯半導體正式發布了650V 40mΩ 超結MOSFET新品 。該產品采...
2023-11-30
18:51:58
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